初級シスアド 平成20年秋期 問1

問1

フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
  • 紫外線で全内容を消して書き直せるメモリである。
  • データを早く読み出せるので,キャッシュメモリとしてよく用いられる。
  • 不揮発性メモリの一種であり,電気的に全部又は一部を消して内容を書き直せるメモリである。
  • リフレッシュ動作が必要なメモリであり,主記憶に広く使われる。
  • [この問題の出題歴]
  • 初級シスアド H15秋 問1
  • 基本情報技術者 H15秋 問16
  • 基本情報技術者 H18秋 問16

分類

ストラテジ系 » 経営戦略マネジメント » マーケティング

正解

解説

フラッシュメモリ(flash memory)は、電気的に書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない半導体メモリです。
区分的にはEEPROMの一種で、ROM(Read Only Memory)に分類されますが、書き換えが可能なためROMでもRAMでもない存在として別に分類されている場合もあります。
USBメモリやSDカードなどが携帯電話、デジタルカメラ、ディジタルオーディオプレーヤーなどの記憶媒体として広く普及していて、小型で大容量・安価なことから以前のフロッピーディスクにかわるデバイスとして、手軽なデータの持ち運びにも使われています。
  • UV-EPROM(Ultra-Violet Erasable Programmable ROM)の説明です。フラッシュメモリは電気的に内容を書き換えることのできるEEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)に分類されます。
  • SRAM(Static RAM)の説明です。フラッシュメモリの読書き速度はDRAMに近いためキャッシュメモリとしての使用には適していません。
  • 正しい。
  • DRAM(Dynamic RAM)の説明です。フラッシュメモリはリフレッシュ動作の必要がありません。
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