平成29年秋期試験問題 問67
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フラッシュメモリの説明として，適切なものはどれか。
- 紫外線を利用してデータを消去し，書き換えることができるメモリである。
- データ読出し速度が速いメモリで，CPUと主記憶の性能差を埋めるキャッシュメモリによく使われる。
- 電気的に書換え可能な，不揮発性のメモリである。
- リフレッシュ動作が必要なメモリで，主記憶によく使われる。
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解説
フラッシュメモリ(Flash Memory)は、電気的に書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない(不揮発性の)半導体メモリです。USBメモリやSDカードおよびSSD(Solid State Drive)の記憶媒体として使用されています。
- UV-EPROMの説明です。フラッシュメモリではデータの書換えや消去を電気的に行います。
- SRAM(Static Random Access Memory)の説明です。フラッシュメモリのアクセス速度はキャッシュメモリとして使用できるほど速くはありません。
- 正しい。
- DRAM(Dynamic Random Access Memory)の説明です。フラッシュメモリはアクセス速度や寿命の面から主記憶には使用されていません。
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